У Японії створили SiC-транзистор, здатний працювати при 600 °C — звичайний кремній здається після 250 °C

Японські інженери розробили транзистор з карбіду кремнію, здатний працювати при 600 °C та сумісний зі поширеною технологією іонної імплантації.